Spínač napájení SSM3K329R

Můžete si být jisti, že si koupíte E-Comp Power Switch SSM3K329R z naší továrny a my vám nabídneme nejlepší poprodejní servis a včasné dodání. Vždy se budeme držet zásady „kvalita na prvním místě, klient na prvním místě“ a srdečně zveme zákazníky, aby nás navštívili ke konzultaci.

posílat vyšetřování PDF stahovat

výsledek vylíčení

Jako profesionální výrobce bychom vám rádi poskytli E-CompSpínač napájení SSM3K329R. Díky našemu soustředěnému přístupu, včasnému dodání a etické obchodní politice se nám v této doméně podařilo dosáhnout obrovského úspěchu. Přání si být s vámi dlouhodobým partnerem.

Parametr integrovaného obvodu E-Comp Group Inc SSM3K329R (specifikace)

Číslo dílu Digi-Key	SSM3K329RLFTR-ND - Páska SSM3K329RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3K329RLFDKR-ND - Digi-naviják
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3K329R,LF
Popis	MOSFET N CH 30V 3,5A 2-3Z1A
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Detailní popis	N-Channel 30 V 3,5A (Ta) 1W (Ta) povrchová montáž SOT-23F

Parametr integrovaného obvodu E-Comp Group Inc SSM3K329R (specifikace)

TYP	POPIS
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory - FET, MOSFET - Single
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIII
Balík	Páska Řezaná páska (CT) Digi-Reel
Stav produktu	Aktivní
Typ FET	N-kanál
Technika	MOSFET (oxid kovu)
Napětí od zdroje ke zdroji (Vdss)	30 V
Proud - Kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C	3,5A (Ta)
Napětí pohonu (max. Rds zapnuto, min. Rds zapnuto)	1,8V, 4V
Rds On (Max) @ ID, Vgs	126mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs	1,5 nC @ 4 V
VGS (max.)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	123 pF @ 15 V
Funkce FET	-
Ztráta energie (max.)	1W (Ta)
Provozní teplota	150 °C (TJ)
Dodavatelský balíček zařízení	SOT-23F
Balíček / pouzdro	Ploché svody SOT-23-3
Základní číslo produktu	SSM3K329